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中国科学院半导体研究所

日期:2019-06-12

    增加粗杂粮的摄入量:  主食的摄入要注意粗细搭配,增加粗杂粮的摄入量,增加膳食纤维的摄入量,促进身体代谢,促进脂肪代谢,避免由于脂肪的大量摄入给肝脏增添压力。  多喝水:  多喝水,促进新陈代谢,促进有害物质的代谢排出,对于肝脏有积极作用。  总之,保护肝脏,请理性为之:  吃新鲜食物,无论是肉还是菜,拒绝各种腌制食品。  多喝水,少喝饮料,拒绝喝酒。

    带着居民反映的问题,记者找到合肥市城隍庙改造项目的监理单位——安徽省科信工程建设监理公司。公司总监毛长海介绍,城隍庙改造项目计划6个月完工,由于工期紧、难度大,已经向政府报批24小时施工作业。考虑到施工噪音对周边居民产生的影响,他们已经和施工单位进行沟通。

中国科学院半导体研究所

半导体所在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展2019-04-23深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域,国际水俣公约的提出,促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫,但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。

AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一,AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法异质外延生长在c-蓝宝石、6H-SiC和Si(111)衬底上,AlN与衬底之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延层中存在较大的应力与较高的位错密度,严重降低器件性能。 与此同时,AlN前驱体在这类衬底上迁移势垒较高,浸润性较差,倾向于三维岛状生长,需要一定的厚度才可以实现融合,增加了时间成本。

最近,中科院半导体所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范院士团队合作,开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底,并提出了等离子体预处理改性石墨烯,促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。 通过DFT计算发现,等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮,可以有效促进AlN薄膜的成核生长。 在较短的时间内即可获得高品质AlN薄膜,其具有低应力、较低的位错密度,深紫外LED器件表现出了良好的器件性能。 该成果以题为“ImprovedEpitaxyofAlNFilmforDeep-UltravioletLight-EmittingDiodesEnabledbyGraphene”发表在上(DOI:/)。

半导体所李晋闽研究员、魏同波研究员与北京大学刘忠范院士、高鹏研究员作为论文共同通讯作者,陈召龙博士与刘志强研究员为论文共同第一作者。 同时,魏同波研究员与刘忠范院士团队合作提出了石墨烯/NPSS纳米图形衬底外延AlN的生长模型,理论计算和实验验证了石墨烯表面金属原子迁移增强规律,石墨烯使NPSS上AlN的合并时间缩短三分之二,同时深紫外LED功率得到明显提高,使深紫外光源有望成为石墨烯产业化的一个突破口。 相关成果在,091107(2019)发表后被选为Featuredarticle,并被AIPScilight以题为“NewAlNfilmgrowthconditionsenhanceemissionofdeepultravioletLEDs”专门报道,也被半导体领域两大知名评论杂志CompoundSemiconductor杂志版(2019年第3期)和SemiconductorToday同时长篇报道。

此外,针对深紫外发光器件中p型掺杂国际技术难题,刘志强研究员提出了缺陷共振态p型掺杂新机制,该方法基于能带调控,获得高效受主离化率的同时,维持了较高的空穴迁移率,实现了Ω.cm的p型氮化镓电导率,为后续石墨烯在深紫外器件透明电极中的应用奠定基础,经查新为该领域迄今国际最好结果。

相关成果发表在,114004(2018),并获该期刊2018年度青年科学家最佳论文奖,该成果也得到2014年诺贝尔物理学奖获得者Amano教授的积极评价。 上述系列研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然基金的支持。

      图1石墨烯上AlN成核示意图及深紫外LED器件结果      Compoundsemiconductor杂志封面和报道页面    中科院文献情报中心p型氮化镓电导率查新报告  文章链接:        新闻链接:  。

  “数与代数”、“空间与图形”、“统计与概率”、“综合应用”四个领域的单元安排和主要内容如下。 (一)数与代数(共4个单元) 第二单元—异分母分数加减法  第四单元--分数乘法  分数乘法计算,简单分数乘法问题,认识倒数。  第六单元--分数除法  分数除法计算,简单分数除法问题,分数混合运算。  (二)空间与图形(共3个单元)  第一单元—图形的运动(二) 第三单元--长方体和正方体  认识长方体、正方体的特征及它们的展开图,长方体和正方体表面积的计算和解决生活中的简单问题。

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